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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

ROHM开发出内置 SiC MOSFET AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体...
类别:转换器 2019-04-18 标签: ROHM AC DC转换器
围绕汽车电子,芯片厂商之间的这场争夺战会越来越热闹
的缓解做出巨大贡献。这就使得这个新型材料器件非常适合于在电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等各个领域。尤其是今年来随着电动车等产业的发展要求,市场对SiC的需求大增。据麦姆斯咨询分析,2018年全球有超过20家的汽车业者,在OBC中使用SiC肖特基二极管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未来SiC功率半导体在OBC市场中有望以CAGR 44...
类别:汽车电子 2019-04-03 标签: ST SiC功率器件 肖特基二极管 MOSFET
被动元件价格暴跌,MLCC和MOSFET首当其冲
零组件陷盘整,被动元件好景不复见!业界传出,微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大,近期不仅供需相当平衡,价格也是松动在即,让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供货合约的业者觉得伤脑筋。 业界预期,比起被动元件价格「躺平」,MOSFET价格状况应该会好一点,只会从「站着」变成「坐着」而已。 业界传出,去年...
类别:半导体生产 2019-04-01 标签: MLCC MOSFET
ROHM全新600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”,让设计更灵敏
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命...
类别:分立器件 2019-03-19 标签: ROHM MOSFET
安森美半导体推出碳化硅(SiC) MOSFET,完善生态系统
SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计,用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统  推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC...
类别:动力系统 2019-03-19 标签: MOSFET 安森美
世纪金光SiC MOSFET系列,满足多种应用需求
;●新能源汽车    ●充电桩充电模组●光伏逆变器   ●工业电机   ●智能电网    ●航空航天 SiC MOSFET系列产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多种应用需求。 产品特点...
类别:行业动态 2019-03-08 标签: 世纪金光 新能源汽车
Vishay新款30 V和40 V汽车级p沟道MOSFET—节省PCB空间,更可靠
汽车级器件导通电阻低至4.4 mW,采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升...
类别:半导体生产 2019-03-07 标签: Vishay MOSFET
碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。 前言        就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学...
技术文章—MOSFET管的安全工作区
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。一、什么是安全工作区?安全工作区:SOA(Safe operating area)是由一系列(电压,电流...
类别:分立器件 2019-02-18 标签: MOSFET
Vishay新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,让工作效率更上一层楼
器件最高输出电流2.5 A,适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA...
类别:驱动 2019-02-15 标签: MOSFET Vishay

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MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别: 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别: 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别: 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别: 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别: 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别: 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别: 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别: 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
P-MOSFET的开关实例在上电过程中,I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上,外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部I/O电源,保证了内核先于I/O供电。  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此,当外部电源降低到DC/DC...
类别: 2013年09月29日 标签: PMOSFET 的开 关实
0922MOSFETMOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括...
类别: 2013年09月29日 标签: MOSFET及MOSFET驱动电路总结

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和LTM4638 采用 3D 封装组装(称为组件封装(COP))。电感暴露在器件顶部。通过电感的温度梯度,来自 MOSFET 内部的热量会传输到电感上,然后传输到空气中或散热器上。主要特性占板面积 < 1 cm2 (单面 PCB) 或 0.5 cm2(双面 PCB) 的完整解决方案封装高度:3.87 mm (LTM4626) 和 5.02 mm (LTM4638)宽输入电压范围:3.1 V...
0次浏览 2019-04-25

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功率MOSFET典型的3.5A。         4.5V至100V的宽输入范围适应各种降压应用,非常适合汽车,工业和一些照明应用。        采用滞后电压模式控制非常快速的响应,MPS的专有反馈控制方案最大限度地减少了外部的数量组件。        因此,开关频率可高达...
0次浏览 2019-04-25

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、LED恒流驱动IC、锂电充电管理IC、锂电保护IC、MOSFET、功放IC、运放IC、 存储IC、等系列产品。 AP9195升压IC的优点 ?@ AP9195宽输入电压范围:7V~24V,可升压到90V,输出功率稳定 ?@AP9195 高效率可高达 95%,AP9195 内置高精度误差放大器,固 定关断时间控制电路,恒流驱动电路等,特别适合大功率、多个高亮度 LED 灯串的恒流驱动...
0次浏览 2019-04-24

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,可降 低 MOSFET 的开关损耗,其谷底检测电路 集成了线电压补偿保证了全工作电压范 围内的的电流精度。同时,电流检测电路 具备的边沿消隐功能使得无需外加滤波 器,增强系统的抗干扰能力。具备 20ms 的软启动功能,显著减小启动过程中功率 器件的电压应力。 LZC8611 具有完备的保护功能,辅助绕组 过压保护、VDD 二次过压保护,输出短路 保护,逐周限流等功能,并具备...
0次浏览 2019-04-24

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工作在准谐振(QRM)模式,可降低 MOSFET 的开关损耗,其谷底检测电路集成了线电压补偿保证了全工作电压范围内的的电流精度。同时,电流检测电路具备的边沿消隐功能使得无需外加滤波器,增强系统的抗干扰能力。LZC8650 具有完备的保护功能,辅助绕组过压保护、VDD 二次过压保护,输出短路保护,逐周限流等功能,并具备自恢复重复启动的特性。主要特点 原边恒流控制 输入...
0次浏览 2019-04-23

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本文主要介绍MOS场效应管4N60_MOS场效应管型号,MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型。 油杆网致力于电子元器件中小批量采购全场8.8包邮,自建物流基地快速发货,品类全:通过行业数据分析达到精准备货、全...
0次浏览 2019-04-23

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随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及,目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充,现在,骊微电子为你们推荐节省10颗外围的极简BOM、具成本优势的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。 PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期...
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低。尤其是在需要大电流的供电电路中线性电源无法使用。目前这种供电方式早已经被淘汰掉了。 线性电源供电方式 2、开关电源供电方式 这是目前广泛采用的供电方式,PWM控制器IC芯片提供脉宽调制,并发出脉冲信号,使得场效应管MOSFET1与MOSFET2轮流导通。扼流圈L0与L1是作为储能电感使用并与相接的电容组成LC滤波电路。 其工作原理是这样的:当负载两端的电压VCORE(如CPU需要的电压...
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电流。 MA X882 / MAX883 ESA/ MAX884使用aP沟道MOSFET传输晶体管,从无负载到全200mA输出,保持低至11uA(最大15uA)的电源电流。与早期的双极性稳压器不同,没有PNP基极电流损耗随输出电流增加而增加。并且,在辍学时,MOSFET不会受到PP晶体管进入饱和状态时出现的基本电流的影响。 Typical dropoutvoltages是220m / at...
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pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路,可省略光耦和TL431,可以提高电源功率的密度,节省空间以及成本,具有优异全面的保护功能,用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。 PN8359产品特征:■ 内置650V功率MOSFET ■ 全电压输入范围±5%的电流/电压调整率■ 可省光耦和TL431...
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在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...

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